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申请/专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日：2022-12-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118265438A
主分类号：H10N50/01
分类号：H10N50/01;H10N50/10;H10B61/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供一种磁性存储单元的制造方法，包括：提供衬底，衬底上形成有底部互连结构及位于底部互连结构上的MTJ底电极；在MTJ底电极上形成磁性隧道结，磁性隧道结顶部保留有金属硬掩膜；沉积保护层和层间介质；对层间介质进行平坦化处理；回刻蚀层间介质和保护层，使得金属硬掩膜露出表面及其部分侧壁；在金属硬掩膜上形成顶电极金属层；刻蚀顶电极金属层及其下方的层间介质和所述保护层，形成MTJ顶电极。本发明改进了MTJ顶电极的制备工艺。
主权项：1.一种磁性存储单元的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有底部互连结构及位于所述底部互连结构上的MTJ底电极；在所述MTJ底电极上形成磁性隧道结，所述磁性隧道结顶部保留有金属硬掩膜；沉积保护层和层间介质；对所述层间介质进行平坦化处理；回刻蚀所述层间介质和所述保护层，使得所述金属硬掩膜露出表面及其部分侧壁；在所述金属硬掩膜上形成顶电极金属层；光刻出顶电极图案，根据所述顶电极图案刻蚀所述顶电极金属层及其下方的层间介质和所述保护层，形成MTJ顶电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江驰拓科技有限公司 磁性存储单元的制造方法
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