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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2022-12-28
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263265A
主分类号：H01L27/146
分类号：H01L27/146
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：器件晶圆，器件晶圆包括衬底、以及位于衬底的第一面上的第一介电层，第一介电层的顶部形成有栅极结构，衬底的顶部形成有覆盖栅极结构和第一介电层的第二介电层；深槽隔离结构，从衬底的第二面一侧，贯穿位于第一介电层所在位置处的衬底，第二面和第一面相背设置；第三介电层，位于深槽隔离结构和第一介电层之间；互连线，位于深槽隔离结构的顶部、衬底的第二面上、以及深槽隔离结构侧部的衬底中，互连线与深槽隔离结构电连接。增大了深槽隔离结构与栅极结构之间的介电膜层的抗击穿能力，降低了半导体结构电性失效的概率，从而提高了半导体结构的性能。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：器件晶圆，所述器件晶圆包括衬底、以及位于所述衬底的第一面上的第一介电层，所述第一介电层的顶部形成有栅极结构，所述衬底的顶部形成有覆盖所述栅极结构和第一介电层的第二介电层；深槽隔离结构，从所述衬底的第二面一侧，贯穿位于所述第一介电层所在位置处的所述衬底，所述第二面和第一面相背设置；第三介电层，位于所述深槽隔离结构和第一介电层之间；互连线，位于所述深槽隔离结构的顶部、所述衬底的第二面上、以及所述深槽隔离结构侧部的所述衬底中，所述互连线与所述深槽隔离结构电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
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