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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2022-12-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263117A
主分类号：H01L21/3213
分类号：H01L21/3213;H10B41/30;H10B41/35
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成字线材料层；在字线材料层上形成过渡结构；在过渡结构上形成核心材料层；在核心材料层上形成阻挡材料层；刻蚀所述阻挡材料层和核心材料层，形成若干沿平行于衬底表面第一方向分立的核心层和位于核心层上的阻挡层；在核心层侧壁形成侧墙结构，若干所述侧墙结构沿第一方向排列；形成侧墙结构之后，去除所述核心层；去除所述核心层之后，以所述侧墙结构为掩膜，刻蚀所述过渡结构和字线材料层，在衬底上形成若干分立的字线结构。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底上形成字线材料层；在字线材料层上形成过渡结构；在过渡结构上形成核心材料层；在核心材料层上形成阻挡材料层；刻蚀所述阻挡材料层和核心材料层，形成若干沿平行于衬底表面第一方向分立的核心层和位于核心层上的阻挡层；在核心层侧壁形成侧墙结构，若干所述侧墙结构沿第一方向排列；形成侧墙结构之后，去除所述核心层；去除所述核心层之后，以所述侧墙结构为掩膜，刻蚀所述过渡结构和字线材料层，在衬底上形成若干分立的字线结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构的形成方法
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