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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括具有在电路上方形成的重分布层RDL的电路。重分布层包括多个金属层。电感器形成在最上面的金属层中，并且电路直接位于电感器下方。凸块下金属化UBM层形成在最上面的金属层上和导电连接件形成在UBM层上。本发明的实施例还提供了一种半导体结构的形成方法。
主权项：1.一种半导体结构，包括：电路；重分布层，在所述电路上方形成，其中，所述重分布层包括多个金属层；电感器，形成在最上面的金属层中，其中，所述电路直接在所述电感器下方；凸块下金属化层，形成在所述最上面的金属层上；以及导电连接件，形成在所述凸块下金属化层上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构及其形成方法
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