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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：本申请公开了一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括半导体衬底、第一沟槽结构和第二沟槽结构，所述第一沟槽结构形成在所述半导体衬底中，用于形成沟槽式电容器，所述第二沟槽结构，形成在所述半导体衬底中并环绕所述第一沟槽结构设置。所述第二沟槽结构用于在所述半导体衬底被切割时防止所述第一沟槽结构受到机械性损伤。所述第一沟槽结构与所述第二沟槽结构在同一个蚀刻工艺中形成，并未增加额外的工艺步骤。本申请所公开的半导体结构及其形成方法能够在不增加额外的工艺步骤的情况下防止衬底在芯片切割过程受到机械损伤。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底和位于所述半导体衬底上的密封环；第一沟槽结构，形成在所述半导体衬底中，所述第一沟槽结构中形成有沟槽式电容器；第二沟槽结构，所述第二沟槽结构包括一个或多个沟槽，形成在所述半导体衬底中并环绕所述第一沟槽结构设置，且所述第二沟槽结构与所述密封环位置对应，所述第二沟槽结构与所述第一沟槽结构的间距为8μm至12μm，所述一个或多个沟槽未被填充，所述第二沟槽结构被配置为在所述半导体衬底被切割时防止所述第一沟槽结构受到外部应力导致的机械性损伤；以及切割道，形成在所述半导体衬底中并环绕所述第二沟槽结构设置，其中，所述第二沟槽结构与所述切割道的间距为8μm至12μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
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