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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上包括半导体层、以及位于所述半导体层顶面的顶层互连层；对准标记，位于所述半导体层上方；介质层，位于所述半导体层上方，所述介质层中包括环绕所述对准标记的外周分布、且呈周期性排布的多个第一重复结构单元，所述第一重复结构单元用于增大所述对准标记与所述介质层之间的对比度。本发明能够提高对对准标记识别的准确度与清晰度，有助于提高半导体产品的良率，改善半导体产品的性能。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上包括半导体层、以及位于所述半导体层顶面的顶层互连层；对准标记，位于所述半导体层上方；介质层，位于所述半导体层的顶面，所述顶层互连层贯穿所述介质层，所述介质层中包括环绕所述对准标记的外周分布、且呈周期性排布的多个第一重复结构单元，所述第一重复结构单元的材料为第一金属材料，所述第一金属材料在第一波长光线照射下能够发生金属偶极谐振，所述第一金属材料的偶极谐振能够提高对所述第一波长光线的吸收率，以增大所述对准标记与所述介质层之间的对比度；隔离层，覆盖所述介质层和所述顶层互连层，所述对准标记位于所述隔离层中；所述对准标记包括若干个主体部，呈周期性排布的多个所述第一重复结构单元环绕所述主体部的外周分布，每个所述主体部内具有呈周期性排布的多个第二重复结构单元，所述第二重复结构单元的材料为第二金属材料，所述第二金属材料能够提高所述对准标记对第二波长光线的反射率，所述第一金属材料能够提高所述介质层对所述第二波长光线的吸收率，在沿垂直于所述半导体层顶面的方向上，呈周期性排布的多个所述第一重复结构单元的投影环绕所述对准标记的投影的外周分布。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体结构及其形成方法
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