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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
摘要：根据本公开的各实施例涉及用于制造MEMS半导体芯片的具有隐形切割工艺的方法。一种方法包括生产半导体晶圆。半导体晶圆包括多个MEMS半导体芯片，其中MEMS半导体芯片具有：被布置在半导体晶圆的第一主表面处的MEMS结构、被布置在第一主表面处的第一半导体材料层、以及被布置在第一半导体材料层下方的第二半导体材料层，其中第一半导体材料层的掺杂大于第二半导体材料层的掺杂。该方法还包括：去除在相邻的MEMS半导体芯片之间的区域中的第一半导体材料层。该方法还包括：从半导体晶圆的第一主表面并且在相邻的MEMS半导体芯片之间应用隐形切割工艺。
主权项：1.一种用于制造MEMS半导体芯片的方法，包括：生产半导体晶圆10，所述半导体晶圆包括：多个MEMS半导体芯片12，其中所述MEMS半导体芯片12具有MEMS结构22，所述MEMS结构被布置在所述半导体晶圆10的第一主表面24处，第一半导体材料层，被布置在所述第一主表面24处，以及第二半导体材料层，被布置在所述第一半导体材料层下方，其中所述第一半导体材料层的掺杂大于所述第二半导体材料层的掺杂；去除在相邻的MEMS半导体芯片12之间的区域36中的所述第一半导体材料层；以及从所述半导体晶圆10的所述第一主表面24并且在所述相邻的MEMS半导体芯片12之间应用隐形切割工艺，其中对所述第一半导体材料层的所述去除包括干法蚀刻或湿法化学蚀刻中的一项或多项，其中所述半导体晶圆10包括被布置在所述第一半导体材料层与所述第二半导体材料层之间的绝缘层18，所述绝缘层被设计为蚀刻停止层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 用于制造MEMS半导体芯片的具有隐形切割工艺的方法
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