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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开实施例提供一种存储器及其制造方法、读写方法。本公开实施例提供的存储器是由第一无结晶体管与第二无结晶体管构成的2T0C存储器，所述存储器在所述第二无结晶体管背离栅极结构的一面第二表面设置电荷捕获层，在所述第二无结晶体管导通时所述电荷捕获层作为电子陷阱electrontrap能够捕获并存储电荷；在所述第一无结晶体管导通时，所述电荷捕获层存储的电荷能够影响所述第一无结晶体管导通电流即漏极电流，进而可通过所述第一无结晶体管导通电流的变化来确定所述存储器的存储状态。该种2T0C的存储器不需要电容器，不会存在电容器带来的大功耗及大面积，大大减小了存储器的尺寸及功耗，并且制造工艺简单，便于推广应用。
主权项：1.一种存储器，其特征在于，包括：衬底；设置于所述衬底上的第一无结晶体管，包括第一半导体层，所述第一半导体层具有第一沟道区；电荷捕获层，设置在所述第一半导体层的所述第一沟道区的表面；第二无结晶体管，包括第二半导体层及栅极结构，所述第二半导体层具有第二沟道区，且所述第二半导体层与所述第一半导体层绝缘隔离，所述栅极结构设置在所述第二半导体层的所述第二沟道区的第一表面，所述电荷捕获层设置在所述第二半导体层的所述第二沟道区的第二表面，所述第一表面与所述第二表面相对设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 存储器及其制造方法、读写方法
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