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申请/专利权人：元旭半导体科技(无锡)有限公司;大连理工大学
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体为一种垂直式HEMT‑LED集成器件的制备方法，该制备方法中，首先在衬底的正面、反面制备HEMT外延层、LED外延层，然后在HEMT外延层制备源极、漏极、栅极，在LED外延层制备N电极、P电极，源极与P电极电连接，形成共阳极结构，或，漏极与N电极连接，形成共阴极结构，从而获得一种垂直式HEMT‑LED集成器件，该集成器件中，HEMT与LED分别位于衬底的正面、反面，有效降低了LED发光对HEMT的干扰。
主权项：1.一种垂直式HEMT-LED集成器件的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：提供一衬底（1），在衬底（1）的正面、反面分别制备HEMT外延层（2）、LED外延层（6），所述HEMT外延层（2）、LED外延层（6）均包括材料：GaN；在所述HEMT外延层（2）制备源极（3）、漏极（4）、栅极（5），形成HEMT；在所述LED外延层（6）制备P电极（8）、N电极（7），形成LED；所述HEMT与所述LED为共阳极结构，或所述HEMT与所述LED为共阴极结构，所述共阳极结构指所述源极（3）与所述P电极（8）电连接，所述漏极（4）为HEMT-LED异面结构的输入端，所述N电极（7）为所述HEMT-LED异面结构的输出端；所述共阴极结构指所述漏极与所述N电极（7）电连接，所述P电极（8）为所述HEMT-LED异面结构的输入端，所述源极（3）为所述HEMT-LED异面结构的输出端。
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