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申请/专利权人：日月新半导体(昆山)有限公司
摘要：本发明公开了集成电路技术领域的新型集成电路FOWLP工艺方法，S1、基板准备；S2、RDL层制作；S3、铜导线框架和芯片放置；S4、封装固化；S5、焊垫制备；S6、切割和封装。本发明通过优化RDL层的制作和芯片放置流程，确保了更高的布线精度和芯片对准精度，通过减小封装厚度和增加触点引脚数量，提高了信号传输的效率，减少了信号损失和干扰，采用ChipLast工艺，先进行RDL布线和测试，再放置合格芯片，提高了成品率和封装的长期稳定性，通过简化封装流程和提高材料利用率，降低了整体的封装成本，本发明的工艺方法不仅适用于调频射频芯片，还可以扩展到其他类型的信号芯片，具有广泛的适用性。
主权项：1.新型集成电路FOWLP工艺方法，其特征在于：包括如下步骤：S1、基板准备：首先准备基板，进行清洁和预处理，确保基板表面平整无污染；S2、RDL层制作：在基板上制作重布RDL层；S3、铜导线框架和芯片放置：将铜导线框架和合格的芯片放置在已经制作好RDL的基板上；S4、封装固化：在芯片和导线框架连接完成后，使用环氧塑模料将整个结构封装起来，然后进行固化，以保护内部结构并提供机械支撑；S5、焊垫制备：为焊垫提供焊接介质，以便于后续的焊接或连接；S6、切割和封装：进行切割，将封装好的芯片从基板上分离出来，完成封装。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日月新半导体(昆山)有限公司 新型集成电路FOWLP工艺方法
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