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申请/专利权人：芯方舟(上海)集成电路有限公司

摘要：本发明公开了一种算力芯片及其设计方法、制造方法及算力芯片系统，包括内核，所述内核内设置有存储模块和处理器，且存储模块与处理器通过标准接口建立数据连接，所述存储模块内设置有存储单元和运算器单元；通过在存储模块中增设运算器，将算力芯片的算力转移到存储器上，实现算力系统性能最大化，此外，通过运算器单元对存储器单元的预读取方式对数据进行读取，进一步提高了数据读取的速度，有效减少了数据从存储器传输到运算器所需的时间，从而提高了处理速度、提高了系统能效、降低了数据延迟、降低了工艺成本、优化内存访问模式、增强系统稳定性，同时本发明采用标准内存接口和众核架构设计，更加便于算力的扩展。

主权项：1.一种算力芯片，其特征在于，包括存储模块（111），所述存储模块（111）内设置有逻辑层（1111）和存储层（1112）；所述逻辑层（1111）内设置有运算器单元（1111a）、控制单元（1111b）和物理接口单元（1111c），所述物理接口单元（1111c）被配置为标准内存接口；所述存储层（1112）内设置有多个存储单元（1112a）；所述多个存储单元（1112a）根据所述运算器单元（1111a）的坐标和面积呈阵列排布，所述运算器单元（1111a）的正投影与所述多个存储单元（1112a）阵列的正投影重合；所述运算器单元（1111a）与所述存储单元（1112a）通过晶圆键合技术实现重叠；其中，所述运算器单元（1111a）被配置为对多个所述存储单元（1112a）进行数据的预读取，所述预读取的步骤包括：步骤1：所述运算器单元（1111a）对多个存储单元（1112a）中的第一存储单元进行读取数据，读取数据的过程包括经过T时间的延时后开始读取数据1；步骤2：在步骤1开始后的t时间以后，所述运算器单元（1111a）对第二存储单元进行读取数据，读取数据的过程包括经过T时间的延时后开始读取数据2；步骤3：在步骤2开始后的t时间以后，所述运算器单元（1111a）对第三存储单元进行读取数据，读取数据的过程包括经过T时间的延时后开始读取数据3；所述运算器单元（1111a）对其他存储单元重复上述步骤，直至数据被预读取完整；其中，t小于T。

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