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申请/专利权人：深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
摘要：本申请提供一种晶体管封装结构及其制作方法，该封装结构包括：晶体管，其电极均设置于同一侧平面；热电分离基板，其上设置有源极连接区、栅极连接区、漏极连接区、开尔文源极引出区以及安装位，所述晶体管置于所述安装位，所述源极连接区和所述漏极连接区分别连接所述晶体管的源极和漏极；所述栅极连接区和所述开尔文源极引出区分别与所述晶体管的栅极和源极连接；所述漏极连接区连通所述热电分离基板的背面；第一引脚、第二引脚、第三引脚分别与对应连接区连接；以及，壳体，其封装所述晶体管和所述热电分离基板，并使得所述第一引脚、所述第二引脚和所述第三引脚部分外露。本申请的封装结构寄生电感低，可满足大功率晶体管封装需求。
主权项：1.一种晶体管封装结构，其特征在于，包括：晶体管，其电极均设置于同一侧平面；热电分离基板，其上设置有源极连接区、栅极连接区、漏极连接区、开尔文源极引出区以及安装位，所述晶体管置于所述安装位，所述源极连接区和所述漏极连接区分别连接所述晶体管的源极和漏极；所述栅极连接区和所述开尔文源极引出区分别与所述晶体管的栅极和源极连接；所述漏极连接区连通所述热电分离基板的背面；第一引脚，其与所述栅极连接区焊接，并延伸至所述热电分离基板外；第二引脚，其与所述开尔文源极引出区焊接，并延伸至所述热电分离基板外；第三引脚，其与所述源极连接区焊接，并延伸至所述热电分离基板外；以及，壳体，其封装所述晶体管和所述热电分离基板，并使得所述第一引脚、所述第二引脚和所述第三引脚部分外露同时使得所述热电分离基板的背面全部或部分外露。
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权利要求：
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