龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：北京智芯微电子科技有限公司
摘要：本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体领域。晶体管包括：衬底，由下至上依次包括：第一衬底层、第一氧化层、重掺杂硅层及突出于重掺杂硅层的第二衬底层和第二氧化层；第二氧化层包括栅氧化层和场板氧化层，场板氧化层厚度大于栅氧化层厚度；重掺杂多晶硅层和第三氧化层形成于未被第二氧化层和第二衬底层覆盖的重掺杂硅层上；重掺杂多晶硅层、第三氧化层、形成于体区及部分漂移区底部的第二氧化层和重掺杂多晶硅层、体区及部分漂移区底部的重掺杂硅层作为第二栅极，剩余的重掺杂硅层和第二氧化层作为第二场板。本发明能够增加载流子流通通道，增大晶体管的工作电流。
主权项：1.一种横向双扩散场效应晶体管，包括：体区、漂移区、源极、漏极、第一栅极和第一场板，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管还包括：衬底，所述衬底由下至上依次包括：第一衬底层、第一氧化层、重掺杂硅层、第二氧化层和第二衬底层，所述第二衬底层和所述第二氧化层呈阶梯状突出于所述重掺杂硅层的上表面；所述体区、所述漂移区、所述源极、所述漏极、所述第一栅极和所述第一场板形成于所述第二衬底层；所述第一衬底层和所述体区具有第一导电类型，所述重掺杂硅层和所述漂移区具有第二导电类型，所述第一导电类型和所述第二导电类型的离子掺杂种类不同；所述第二氧化层包括：栅氧化层和场板氧化层，所述栅氧化层自所述体区底部延伸至部分漂移区底部，所述场板氧化层形成于部分漂移区底部，所述场板氧化层的厚度大于所述栅氧化层的厚度；重掺杂多晶硅层和第三氧化层，形成于未被所述第二氧化层和所述第二衬底层覆盖的重掺杂硅层的上表面，所述第三氧化层位于所述重掺杂多晶硅层与突出于所述重掺杂硅层的第二衬底层和第二氧化层之间，且所述第三氧化层与形成于所述第二衬底层的体区紧贴；所述重掺杂多晶硅层具有第二导电类型；所述重掺杂多晶硅层、所述第三氧化层、形成于所述体区底部以及部分漂移区底部的第二氧化层和形成于所述重掺杂多晶硅层、所述体区底部以及部分漂移区底部的重掺杂硅层共同作为第二栅极，剩余的重掺杂硅层和剩余的第二氧化层共同作为第二场板。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京智芯微电子科技有限公司 横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号