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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供一种平坦化处理方法及半导体结构，该平坦化处理方法包括以下步骤：提供一基底，所述基底中形成有介质层及至少部分嵌入所述介质层中的多晶硅层；于所述基底形成有所述介质层及所述多晶硅层的一面进行化学机械研磨；于化学机械研磨后的所述基底上形成水膜，以避免残留于所述基底上的研磨副产物颗粒聚集于所述多晶硅层的表面。该平坦化处理方法通过在完成CMP步骤后的基底表面形成水膜避免残留于基底上的研磨副产物颗粒聚集于多晶硅层表面，有利于后续清洗过程中充分去除研磨副产物颗粒，有效改善了研磨副产物颗粒残留的问题，进而提升工艺良率与产品性能。
主权项：1.一种平坦化处理方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基底，所述基底中形成有介质层及至少部分嵌入所述介质层中的多晶硅层；于所述基底形成有所述介质层及所述多晶硅层的一面进行化学机械研磨；于化学机械研磨后的所述基底上形成水膜，以避免位于所述基底上的研磨副产物颗粒聚集于所述多晶硅层的表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 一种平坦化处理方法及半导体结构
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