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基片输送机构控制方法和基片处理系统 

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申请/专利权人:东京毅力科创株式会社

摘要:本发明提供能够缩短基片输送机构的动作的校正所需的时间的、基片输送机构控制方法和基片处理系统。基片输送机构控制方法包括:在使叉形件进入腔室的状态下,测量第一方向的第一偏离量和第二方向的第二偏离量的步骤;判断第一偏离量超过第一方向的容许范围和第二偏离量超过第二方向的容许范围中的至少一者的步骤;基于第一偏离量计算第一伸缩方向校正值的步骤;基于第二偏离量计算旋转方向校正值的步骤;基于旋转方向校正值和叉形件的叉形件形状信息计算第二伸缩方向校正值的步骤;基于第一伸缩方向校正值和第二伸缩方向校正值计算第三伸缩方向校正值的步骤;和利用第三伸缩方向校正值和旋转方向校正值来校正叉形件的位置的步骤。

主权项:1.一种基片处理系统中的基片输送机构控制方法,其特征在于:所述基片处理系统包括:输送室,其具有输送机构,该输送机构通过控制旋转角度的旋转控制和控制伸缩距离的伸缩控制来进行基片的输送;和至少一个腔室,其与所述输送室相邻地连接,供所述基片送入送出,所述输送机构包括:臂,其可旋转地安装于所述输送室;和叉形件,其以在伸缩方向上可滑动的方式安装于所述臂,所述腔室具有基准对象,所述基片输送机构控制方法包括:在使所述叉形件进入所述腔室的状态下,以所述叉形件进入的方向的端部为所述叉形件的前端,测量所述叉形件的前端相对于所述基准对象的前方基准部的第一方向的第一偏离量、和所述叉形件的侧部相对于所述基准对象的侧方基准部的与所述第一方向正交的第二方向的第二偏离量的步骤;判断所述第一偏离量超过所述第一方向的容许范围和所述第二偏离量超过所述第二方向的容许范围中的至少一者的步骤;基于所述第一偏离量计算第一伸缩方向校正值的步骤;基于所述第二偏离量计算旋转方向校正值的步骤;基于所述旋转方向校正值和所述叉形件的叉形件形状信息,计算第二伸缩方向校正值的步骤;计算所述第一伸缩方向校正值和所述第二伸缩方向校正值,计算第三伸缩方向校正值的步骤;和基于所述第三伸缩方向校正值和所述旋转方向校正值,来校正所述叉形件的位置的步骤。

全文数据:

权利要求:

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