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申请/专利权人：芯联集成电路制造股份有限公司
摘要：本发明提供了一种电极引出结构及半导体器件。该电极引出结构中，在电极引出区内同时设置有源极引出件和栅极连接件，该源极引出件中形成在第一沟槽内的第一电极与栅极沟槽中的屏蔽电极电连接，该栅极连接件中形成在第二沟槽内的第二电极与栅极沟槽内的栅电极电连接，进而实现了栅极信号能够顺利传导的同时也可将源极信号接出。即，通过对电极引出结构进行优化，从而在栅极沟槽的延伸方向增加具有源极引出件的电极引出区的数量时，可有效减少栅极引出件和栅极金属层的配置数量，达到了在减小各个源极引出件至源极金属层之间的寄生电阻，以降低由寄生电阻带来的关断延时和关断损耗较大的问题的同时，还可有效简化版图设计，避免有源区面积的浪费。
主权项：1.一种半导体器件的电极引出结构，其特征在于，所述电极引出结构设置在一电极引出区中，所述电极引出区沿着第一方向延伸，并且所述半导体器件中沿着第二方向延伸的多个栅极沟槽穿过所述电极引出区；其中，所述电极引出结构包括：源极引出件，包括由其中一部分栅极沟槽中延伸至所述电极引出区的部分构成的第一沟槽和形成在所述第一沟槽内的第一电极，所述第一电极与所述栅极沟槽中的屏蔽电极电连接；以及，栅极连接件，包括由另一部分栅极沟槽中延伸至所述电极引出区的部分构成的第二沟槽和形成在所述第二沟槽内的第二电极，所述第二电极与所述栅极沟槽内的栅电极电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯联集成电路制造股份有限公司 电极引出结构及半导体器件
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