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申请/专利权人：成都高投芯未半导体有限公司
摘要：本发明的实施例提供了一种离子注入工艺的监控方法及监控装置，涉及半导体技术领域。其中，离子注入工艺的监控方法通过氢元素注入对晶圆本身所产生的影响，例如，氢元素注入对晶圆的第一方块电阻的影响，进而通过对第一方块电阻的监控反馈氢元素注入工艺能力的波动情况，并结合氢元素的注入剂量与第一方块电阻之间的映射关系，精确监测氢元素的注入剂量。基于此，本发明能够在低成本，高效率的基础上，提供一种监测方法以日常评估氢元素注入的剂量等参数。
主权项：1.一种离子注入工艺的监控方法，其特征在于，包括以下步骤：提供晶圆；向所述晶圆注入背景元素，以改变所述晶圆的导电类型；其中，所述背景元素为Ⅴ族元素；向所述晶圆注入氢元素，于所述晶圆内形成第一掺杂区；对所述晶圆进行退火处理，以激活所述氢元素；测量所述晶圆的第一方块电阻；根据所述第一方块电阻监测所述氢元素的注入剂量。
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权利要求：
百度查询： 成都高投芯未半导体有限公司 离子注入工艺的监控方法及监控装置
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