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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
摘要：本发明提供一种多个工艺腔室压力的控制方法及半导体工艺设备，其中，控制方法包括以下步骤：S1、根据多个工艺腔室的同一目标压力值，以及预设的各个工艺腔室的控压参数与压力值的对应关系，分别获得各个工艺腔室与目标压力值对应的控压参数；S2、向各个工艺腔室的压力控制装置分别输出各个工艺腔室与目标压力值对应的控压参数。本发明提供的多个工艺腔室压力的控制方法及半导体工艺设备，能够提高多个工艺腔室在半导体工艺中的压力一致性。
主权项：1.一种半导体工艺设备中多个工艺腔室压力的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、根据多个所述工艺腔室的同一目标压力值，以及预设的各个所述工艺腔室的控压参数与压力值的对应关系，分别获得各个所述工艺腔室与所述目标压力值对应的控压参数；S2、向各个所述工艺腔室的压力控制装置分别输出各个所述工艺腔室与所述目标压力值对应的所述控压参数；各个所述工艺腔室的所述对应关系，通过以下步骤获得：S01、使各个所述工艺腔室均与同一传输腔室连通，对所述传输腔室进行抽气，待所述传输腔室的压力检测装置的压力示数稳定后，记录该压力示数，作为初始目标压力值；S02、记录各个所述工艺腔室自身的压力检测装置此时的第一压力示数；S03、向所述传输腔室中通入气体，直至所述传输腔室的压力检测装置的压力示数达到其全量程的上限值，将所述上限值作为最大目标压力值；S04、记录各个所述工艺腔室自身的压力检测装置此时的第二压力示数；S05、根据所述初始目标压力值、所述最大目标压力值以及各个所述工艺腔室的第一压力示数和第二压力示数，采用线性拟合算法计算获得各个所述工艺腔室的表示所述对应关系的拟合函数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 多个工艺腔室压力的控制方法及半导体工艺设备
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