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申请/专利权人：深圳瑞波光电子有限公司
摘要：本申请提供一种高功率隧道结级联半导体激光器巴条及单管，该激光器巴条包括：第一型衬底；多个激光器单元，包括外延层、绝缘层和第二型欧姆接触电极，设于第一型衬底上沿第一方向排列相邻之间设有隔离槽，外延层包括多个发光单元、隧道结和设于发光单元上的第二型欧姆接触层；第二型欧姆接触层沿第一方向的宽度小于发光单元，第二型欧姆接触电极覆盖第二型欧姆接触层上的电流注入区，绝缘层覆盖除电流注入区以外的外延层表面。通过上述方式，在第二型欧姆接触层上制作台面，限制大脉冲电流横向扩展，以及特殊设计芯片表面介质膜结构，提高隔离槽内耐击穿电压的同时，降低在高功率输出下激光芯片慢轴发散角出现旁峰的风险，提高光束质量。
主权项：1.一种高功率隧道结级联半导体激光器巴条，其特征在于，包括：第一型衬底；设置于所述第一型衬底上的多个激光器单元，多个所述激光器单元沿第一方向排列，相邻两个所述激光器单元之间设置有隔离槽，所述激光器单元包括外延层、绝缘层以及第二型欧姆接触电极，所述外延层包括多个发光单元、隧道结和设置于所述发光单元上的第二型欧姆接触层；其中，所述第二型欧姆接触层沿所述第一方向的宽度小于所述发光单元的宽度，所述第二型欧姆接触层的表面设置有电流注入区，所述第二型欧姆接触电极覆盖所述电流注入区，所述绝缘层覆盖除所述电流注入区以外的所述外延层的表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳瑞波光电子有限公司 一种高功率隧道结级联半导体激光器巴条以及单管
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