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申请/专利权人：上海大学
摘要：本发明公开了一种特定晶面暴露的晶圆级单晶薄膜的可控制备方法，通过在ALD沉积过程中引入臭氧实现了002晶面暴露的晶圆级单晶TiO2薄膜的制备；通过在沉积过程后加入1个循环的ALDPt与臭氧，在光照条件下的金属载体强相互作用SMSI实现了具有001晶面暴露的晶圆级TiO2单晶薄膜的可控制备。本发明实现了具有不同晶面暴露的单晶TiO2薄膜的制备。薄膜强度明显提升，相比于传统旋涂工艺，强度提高近100倍，且不同区域一致性好。晶薄膜具有优异的HF和NO传感性能。具有晶面暴露的晶圆级TiO2单晶薄膜在半导体制造领域和高性能催化剂制备方面展现出独特的价值。
主权项：1.一种特定晶面暴露的晶圆级TiO2单晶薄膜的可控制备方法，其特征在于，采用一种贵金属修饰的二氧化钛纳米片复合材料的一氧化氮与氟化氢MEMS气体传感器，通过原子层沉积技术制备了PtTiO2复合材料，将其与MEMS器件结合，获得适用于一氧化氮与氟化氢检测的MEMS气体传感器，具体包括如下步骤：步骤1：将MEMS晶圆或单体放入原子层沉积反应器中，在原料瓶中加入Ti源，选择Ti和H2O作为沉积的前驱体；步骤2：设置反应温度和循环数；步骤3：在避光沉积条件下，获得具有002暴露晶面的晶圆级TiO2-MEMS一体化气敏薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海大学 一种特定晶面暴露的晶圆级二氧化钛单晶薄膜的可控制备方法
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