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申请/专利权人：上海芯元基半导体科技有限公司
摘要：本发明提供一种垂直LED芯片结构及其制备方法。制备方法包括步骤：提供生长衬底，形成外延层；于外延层中形成多个间隔分布的第一凹槽；于第一凹槽中形成第一N电极金属层；形成N电极绝缘层；形成P电极金属层以覆盖P型GaN层及N电极绝缘层；将P电极金属层与支撑衬底键合；去除生长衬底；于N型GaN层的表面形成表面绝缘层；于表面绝缘层中形成多个间隔分布的第二凹槽，第二凹槽显露出N型GaN层，第一凹槽和第二凹槽上下对应；形成第二N电极金属层，第二N电极金属层填充第二凹槽，且各第二凹槽内的第二N电极金属层相互电连接。本发明可以有效减少芯片击穿现象，减少绝缘层产生裂纹的现象，能显著减少芯片漏电现象，提高芯片的稳定性和可靠性。
主权项：1.一种垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供生长衬底，于所述生长衬底上形成外延层，所述外延层自下而上包括N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层；于所述外延层中形成多个间隔分布的第一凹槽，所述第一凹槽贯穿所述P型GaN层和多量子阱层，且显露出所述N型GaN层；于所述第一凹槽中形成第一N电极金属层，所述第一N电极金属层与所述P型GaN层及多量子阱层之间具有间隙；于所述第一N电极金属层的上表面和侧面形成N电极绝缘层，所述N电极绝缘层填充所述第一N电极金属层与所述P型GaN层及多量子阱层之间的间隙；形成P电极金属层，所述P电极金属层覆盖所述P型GaN层及所述N电极绝缘层；将所述P电极金属层背离所述P型GaN层的表面与支撑衬底键合；去除所述生长衬底以得到预处理结构，所述N型GaN层显露于所述预处理结构的表面；于显露出的所述N型GaN层的表面形成表面绝缘层；于所述表面绝缘层中形成多个间隔分布的第二凹槽，所述第二凹槽显露出所述N型GaN层，所述第二凹槽与所述第一凹槽上下对应；形成第二N电极金属层，所述第二N电极金属层填充所述第二凹槽，且各第二凹槽内的第二N电极金属层相互电连接。
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