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申请/专利权人：北京大学;中国科学院半导体研究所
申请日：2024-03-04
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN118087031A
主分类号：C30B23/00
分类号：C30B23/00;C30B29/08;C30B29/02;C30B29/20;C30B28/14;C30B33/02
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本申请提供一种新型IV‑VI族半导体晶圆级薄膜及其制备方法，涉及半导体材料领域。制备方法包括：在衬底的表面物理气相沉积前驱体膜层，前驱体膜层包括M膜以及分散于M膜中的X颗粒，M包括Ge或Sn，X包括S或Se。在前驱体膜层的表面利用原子层沉积法形成盖层，获得中间体，其中盖层的生长温度≤200℃，盖层与衬底连接并形成容置前驱体膜层的限域空间；在常压惰性氛围下，使中间体先升温至220‑280℃低温热处理1‑5h，接着升温至IV‑VI族半导体的生长温度并高温热处理至少3h，其能够制得厚度可控且均一的晶圆级IV‑VI族半导体薄膜。
主权项：1.一种新型IV-VI族半导体晶圆级薄膜的制备方法，其特征在于，所述IV-VI族半导体为MX，其中M包括Ge或Sn，X包括S或Se，所述制备方法包括：在衬底的表面物理气相沉积前驱体膜层，所述前驱体膜层包括M膜以及分散于所述M膜中的X颗粒；在所述前驱体膜层的表面利用原子层沉积法形成盖层，获得中间体，其中所述盖层的生长温度≤200℃，所述盖层与所述衬底连接并形成容置所述前驱体膜层的限域空间；在常压惰性氛围下，使所述中间体先升温至220-280℃低温热处理1-5h，接着升温至所述IV-VI族半导体的生长温度并高温热处理至少3h，随后自然冷却，其中所述盖层的熔点高于所述IV-VI族半导体的所述生长温度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学;中国科学院半导体研究所 一种新型IV-VI族半导体晶圆级薄膜及其制备方法
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