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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2024-02-09
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118156139A
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08;B82Y10/00
优先权：["20230213 US 63/484,554","20230908 US 18/463,466"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：方法包括：在第一衬底上方外延生长第一多层堆叠件；在第二衬底上方外延生长第二多层堆叠件；以及将第一多层堆叠件接合至第二多层堆叠件。第一衬底和第二衬底具有不同的晶体取向。方法还包括：图案化第一多层堆叠件和第二多层堆叠件以形成鳍，鳍包括与第一伪纳米结构交替堆叠的多个下部纳米结构和与第二伪纳米结构交替堆叠的多个上部纳米结构；用第一栅极堆叠件替换第一伪纳米结构，第一栅极堆叠件围绕多个下部纳米结构的每个；以及用第二栅极堆叠件替换第二伪纳米结构，第二栅极堆叠件围绕多个上部纳米结构的每个。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
主权项：1.一种形成半导体器件的方法，包括：在第一衬底上方外延生长第一多层堆叠件；在第二衬底上方外延生长第二多层堆叠件，其中，所述第一衬底和所述第二衬底具有不同的晶体取向；将所述第一多层堆叠件接合至所述第二多层堆叠件；图案化所述第一多层堆叠件和所述第二多层堆叠件以形成鳍，所述鳍包括与第一伪纳米结构交替堆叠的多个下部纳米结构和位于所述多个下部纳米结构上方的多个上部纳米结构，所述多个上部纳米结构与第二伪纳米结构交替堆叠；用第一栅极堆叠件替换所述第一伪纳米结构，所述第一栅极堆叠件围绕所述多个下部纳米结构的每个；以及用第二栅极堆叠件替换所述第二伪纳米结构，所述第二栅极堆叠件围绕所述多个上部纳米结构的每个。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法
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