申请/专利权人：浙江大学

申请日：2023-07-31

公开（公告）日：2024-06-07

公开（公告）号：CN116666224B

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.07#授权;2023.09.15#实质审查的生效;2023.08.29#公开

摘要：本公开涉及沟槽型绝缘栅场效应管器件及其制造方法、电子元件。该方法包括：形成依次堆叠的预制复合衬底、预制沟道层及预制第一源接触区，预制第一源接触区具有第一掺杂类型；形成贯穿预制第一源接触区的第二源接触区；形成图案化的第一掩膜；通过第一掩膜刻蚀形成第一沟槽段，第一沟槽段贯穿预制第一源接触区及预制沟道层，并延伸入预制复合衬底，第一沟槽段与第二源接触区沿第一方向相对并被预制第一源接触区间隔；通过第一掩膜对第一沟槽段的沿第一方向相对两个侧壁面中的第一侧壁面进行第一离子注入工艺，形成第一保护区，第一保护区具有第二掺杂类型；以及去除掩膜。该方法可以较容易地制造可靠性较好的沟槽型绝缘栅场效应管器件。

主权项：1.用于制造沟槽型绝缘栅场效应管器件的方法，包括：形成依次堆叠的预制复合衬底、预制沟道层及预制第一源接触区，其中，所述预制复合衬底和所述预制第一源接触区具有第一掺杂类型，所述预制沟道层具有第二掺杂类型；形成贯穿所述预制第一源接触区、预制沟道层并延伸入预制复合衬底的第二源接触区，其中，所述第二源接触区具有P+型掺杂；其特征在于，所述方法还包括：形成图案化的第一掩膜，所述第一掩膜位于所述预制第一源接触区背向所述预制沟道层的一侧；通过所述第一掩膜刻蚀形成第一沟槽段，所述第一沟槽段贯穿所述预制第一源接触区及所述预制沟道层，并延伸入所述预制复合衬底，所述第一沟槽段与所述第二源接触区沿第一方向相对并被所述预制第一源接触区间隔；通过所述第一掩膜对所述第一沟槽段的沿所述第一方向相对两个侧壁面中的第一侧壁面进行第一离子注入工艺，形成第一保护区，所述第一保护区延伸至所述第一沟槽段的上边界；去除所述第一掩膜；形成图案化的第二掩膜，所述第二掩膜覆盖所述预制第一源接触区、所述第二源接触区、所述第一保护区及所述预制复合衬底；通过所述第二掩膜刻蚀形成第二沟槽段，所述第二沟槽段贯穿所述预制第一源接触区及所述预制沟道层，并延伸入所述预制复合衬底，所述第二沟槽段沿第二方向连通于所述第一沟槽段构成沟槽，所述第二方向垂直于第一方向，所述第二沟槽段的刻蚀深度与所述第一沟槽段的刻蚀深度不同；以及去除所述第二掩膜位于所述第一沟槽段底壁的部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江大学 沟槽型绝缘栅场效应管器件及其制造方法、电子元件

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