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【发明授权】半导体集成电路及半导体集成电路的控制方法_株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社_202010892640.3 

申请/专利权人:株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社

申请日:2020-08-31

公开(公告)日:2024-06-07

公开(公告)号:CN112994422B

主分类号:H02M1/088

分类号:H02M1/088;H02M3/07;H03K17/567;H01L27/06

优先权:["20191217 JP 2019-227532"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.07#授权;2021.07.06#实质审查的生效;2021.06.18#公开

摘要:实施方式涉及半导体集成电路及其控制方法。本实施方式的半导体集成电路驱动开关元件,该开关元件具有第一场效应晶体管和与第一场效应晶体管反向串联连接的第二场效应晶体管,该半导体集成电路具备驱动电路和控制电路。驱动电路使第一场效应晶体管和第二场效应晶体管成为导通状态或截止状态。控制电路根据从一个信号输入端子输入的控制信号来控制驱动电路。

主权项:1.一种半导体集成电路,驱动开关元件,该开关元件具有第一场效应晶体管和与所述第一场效应晶体管反向串联连接的第二场效应晶体管,所述半导体集成电路具备:驱动电路,将所述第一场效应晶体管及所述第二场效应晶体管设为导通状态或截止状态;控制电路,根据从一个信号输入端子输入的控制信号,控制所述驱动电路;第一开关元件,在所述开关元件截止的情况下,使第一场效应晶体管的第一源极与第一栅极之间短路;第二开关元件,在所述开关元件截止的情况下,使第二场效应晶体管的第二源极与第二栅极之间短路;第三开关元件,在所述开关元件截止的情况下,使所述第一栅极与地线之间短路,所述第三开关元件的源极及漏极中的一个与第一栅极电连接,所述源极及所述漏极中的另一个与地线连接,所述第三开关元件根据所述控制信号而导通或截止;第四开关元件,在所述开关元件截止的情况下,使所述第二栅极与所述地线之间短路,所述第四开关元件的源极及漏极中的一个与第二栅极电连接,所述源极及所述漏极中的另一个与地线连接,所述第四开关元件根据所述控制信号而导通或截止;第一电阻,一端与所述第一开关元件的源极连接,另一端与所述第一开关元件的栅极连接;第二电阻,一端与所述第一开关元件的栅极连接,另一端经由所述第三开关元件与所述地线连接;第三电阻,一端与所述第二开关元件的源极连接,另一端与所述第二开关元件的栅极连接;以及第四电阻,一端与所述第二开关元件的栅极连接,另一端经由所述第四开关元件与所述地线连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 半导体集成电路及半导体集成电路的控制方法

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