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【实用新型】功率芯片的封装结构和功率模块_经纬恒润(天津)研究开发有限公司_202322661247.5 

申请/专利权人:经纬恒润(天津)研究开发有限公司

申请日:2023-09-28

公开(公告)日:2024-06-07

公开(公告)号:CN221102072U

主分类号:H01L23/473

分类号:H01L23/473;H01L23/14;H01L23/367;H01L23/373

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.07#授权

摘要:本申请提供一种功率芯片的封装结构和功率模块。封装结构包括功率芯片和第一封装基板,第一封装基板包括依次层叠的第一覆铜层、第一绝缘芯和第二覆铜层,功率芯片设置于第一覆铜层背离第一绝缘芯的一侧。由于第一绝缘芯和第二覆铜层中的至少一者中形成有第一液冷流道,且第一液冷流道在第一覆铜层上的正投影与功率芯片在第一覆铜层上的正投影至少部分交叠,从而使功率芯片所产生的热量仅需沿直线穿过第一覆铜层即可与第一液冷流道中的换热介质进行换热,可以缩短热量传递的路径,提高散热效率,进而提高功率芯片的可靠性。

主权项:1.一种功率芯片的封装结构,其特征在于,包括:功率芯片;第一封装基板,所述第一封装基板包括依次层叠的第一覆铜层、第一绝缘芯和第二覆铜层,所述功率芯片设置于所述第一覆铜层背离所述第一绝缘芯的一侧,所述第一绝缘芯和所述第二覆铜层中的至少一者中形成有第一液冷流道,所述第一液冷流道在所述第一覆铜层上的正投影与所述功率芯片在所述第一覆铜层上的正投影至少部分交叠。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 经纬恒润(天津)研究开发有限公司 功率芯片的封装结构和功率模块

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