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申请/专利权人：北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司
申请日：2024-03-05
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118197370A
主分类号：G11C5/14
分类号：G11C5/14;G11C11/417
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明公开了一种面向抗辐照SRAM型FPGA配置存储阵列供电的保护电路，包括保护电压产生电路和驱动电路。本发明利用保护电压与MOS管组成的支路为驱动电路提供额外的电流通路，在辐射条件下，当辐射电离效应导致器件产生表面缺陷，PMOS功率晶体管阈值电压升高时，供电保护电路能够保护SRAM供电电压，防止SRAM掉电损失数据。
主权项：1.一种面向抗辐照SRAM型FPGA配置存储阵列供电的保护电路，其特征在于：包括：保护电压产生电路和驱动电路；保护电压产生电路产生保护电压并输出给驱动电路；驱动电路接收保护电压产生电路输出的保护电压，利用保护电压开启驱动电路中的电流补偿通路，输出供电电压给SRAM阵列中的多个SRAM，从而提高SRAM阵列的供电电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司 一种面向抗辐照SRAM型FPGA配置存储阵列供电的保护电路
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