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申请/专利权人：北京大学
申请日：2022-11-25
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN116314287B
主分类号：H01L29/40
分类号：H01L29/40;H01L29/417
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2023.07.11#实质审查的生效;2023.06.23#公开
摘要：本发明提供了二维半导体晶体管的轻掺杂漏LDD的制备方法及二维半导体晶体管，该方法包括：提供基底；形成半导体材料层；形成栅结构；进行第一次表面改性处理；形成第一固态活性源金属层和第一常规金属层；进行第一次退火处理，得到第一二维半金属材料层；形成栅结构的侧墙；进行第二次表面改性处理；形成第二固态活性源金属层和第二常规金属层；进行第二次退火处理，得到金属原子浓度大于第一二维半金属材料层的第二二维半金属材料层，光刻自对准形成源漏接触区，源漏接触区包括第二固态活性源金属层、第二常规金属层、第二二维半金属材料层和第一二维半金属材料层。该方法能够实现二维半导体轻掺杂漏结构的自对准工艺，兼容半导体加工工艺。
主权项：1.一种自对准的二维半导体晶体管轻掺杂漏（LDD）的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基底；在所述基底上形成半导体材料层；在所述半导体材料层上形成栅结构；对所述二维半导体材料层未被所述栅结构覆盖的表面进行第一次表面改性处理，所述第一次表面改性处理为采用1-100w的超低功率软等离子体进行第一次轰击；形成第一固态活性源金属层和第一常规金属层；进行第一次退火处理，得到第一二维半金属材料层；去除所述第一固态活性源金属层和所述第一常规金属层，在所述第一二维半金属材料层上形成所述栅结构的侧墙；对所述第一二维半金属材料层未被所述栅结构和所述侧墙覆盖的表面进行第二次表面改性处理，所述第二次表面改性处理为采用1-100w的超低功率软等离子体进行第二次轰击；形成第二固态活性源金属层和第二常规金属层；进行第二次退火处理，得到第二二维半金属材料层，所述第二二维半金属材料层中的掺杂金属原子浓度大于所述第一二维半金属材料层中的掺杂金属原子浓度；光刻所述第二固态活性源金属层和所述第二常规金属层，自对准形成源漏接触区，所述源漏接触区包括所述第二固态活性源金属层、所述第二常规金属层、所述第二二维半金属材料层和被所述栅结构和所述侧墙覆盖的所述第一二维半金属材料层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 自对准二维半导体轻掺杂漏制备方法及二维半导体晶体管
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