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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2019-10-11
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN111048772B
主分类号：H01M4/485
分类号：H01M4/485;H01M10/0525
优先权：["20181012 KR 10-2018-0122039","20181011 US 62/744,618"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2021.09.07#实质审查的生效;2020.04.21#公开
摘要：本发明涉及混合导体、电极、电化学装置及制备混合导体的方法。由式1表示的混合导体，其中，在式1中，A为单价阳离子，G为单价阳离子、二价阳离子、三价阳离子、四价阳离子、五价阳离子、或六价阳离子的至少一种，条件是G不是Ti或Cr，其中0x2，0.3y5，0z5，和0δ≤3。式1A4±xTi5‑yGzO12‑δ。
主权项：1.由式1表示的混合导体：式1A4±xTi5-yGzO12-δ其中，在式1中，A为单价阳离子，G为单价阳离子、二价阳离子、三价阳离子、四价阳离子、五价阳离子、或六价阳离子的至少一种，条件是G不是Ti或Cr，以及0x2，0.3y5，0z5，和0δ≤3，所述混合导体包括具有尖晶石型晶体结构的相，在所述混合导体的X射线衍射光谱中，在18°±2.5°的衍射角2θ处的对应于111晶面的峰的强度对在23.5°±2.5°的衍射角2θ处的峰的强度的峰强度比为0.001至1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 混合导体、电极、电化学装置及制备混合导体的方法
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