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申请/专利权人：中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
申请日：2024-04-29
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231480A
主分类号：H01L29/861
分类号：H01L29/861;H01L23/31;H01L21/329;H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：一种碳化硅二极管芯片结构及其制作方法，属于半导体二极管芯片技术领域。包括：N型碳化硅衬底，N型外延层，P型场限环区掺杂区，掺氧多晶硅保护层，硼磷硅玻璃保护层，氮化硅保护层，聚酰亚胺保护层，N型外延层P+型掺杂区，N型外延层表面铝硅化合物合金层，N电极层，P电极层。复合钝化层结构从内层到外层依次为：掺氧多晶硅钝化层、硼磷硅玻璃钝化层、氮化硅钝化层、聚酰亚胺钝化层。综合采用外延、光刻、多次高温高能铝离子注入、CVD淀积、掺杂、高温退火、涂覆、减薄、溅射、划片等工艺进行制造。解决现有碳化硅二极管器件在高耐压下场限环区域易发生烧蚀导致器件失效的问题。广泛应用于碳化硅二极管及其他高压器件钝化层技术领域。
主权项：1.一种碳化硅二极管芯片结构，其特征在于：采用复合钝化层；所述复合钝化层的结构从内层到外层依次为：掺氧多晶硅（SIPOS）钝化层、硼磷硅玻璃（BPSG）钝化层、氮化硅（SiN）钝化层、聚酰亚胺（PI）钝化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) 一种碳化硅二极管芯片结构及其制作方法
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