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申请/专利权人：株式会社德山
申请日：2023-12-22
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118240553A
主分类号：C09K13/00
分类号：C09K13/00;H01L21/306
优先权：["20221223 JP 2022-207631"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明涉及硅蚀刻液、硅基板的处理方法和半导体器件的制造方法。课题在于提供：基于新的技术特征的、具有高的硅蚀刻速度的新型的蚀刻液。一种硅蚀刻液，其包含碱性有机化合物和水，所述硅蚀刻液还包含下述式1所示的化合物，前述式1所示的化合物的含量为100质量ppm以上。式1中，R1为单键、或碳数1～5的烃基，R2和R3各自独立地为氢原子、卤素原子、羟基、氨基、乙酰基、羧基、甲硅烷基、硼基、腈基、硫基、硒基、或碳数1～10的烃基，这些基团任选还具有取代基。
主权项：1.一种硅蚀刻液，其包含碱性有机化合物和水，所述硅蚀刻液还包含下述式1所示的化合物，所述式1所示的化合物的含量为100质量ppm以上， 式1中，R1为单键、或碳数1～5的烃基，R2和R3各自独立地为氢原子、卤素原子、羟基、氨基、羧基、乙酰基、甲硅烷基、硼基、腈基、硫基、硒基、或碳数1～10的烃基，这些基团任选还具有取代基。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社德山 硅蚀刻液、硅基板的处理方法和半导体器件的制造方法
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