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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2024-03-28
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248690A
主分类号：H01L27/06
分类号：H01L27/06;H01L23/48;H01L29/417;H01L21/82
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供一种射频开关器件及其形成方法，包括：从射频输入端到地端之间依次串联的N级晶体管堆栈。基底上形成有栅极结构；调整金属层包括第一调整金属层和第二调整金属层；在沿栅极结构的延伸方向上，从第一级到第N级的各级晶体管堆栈的第一调整金属层在各自漏金属层上的投影覆盖漏金属层的面积逐渐减小，且从第一级到第N级的各级晶体管堆栈的第二调整金属层在各自源金属层上的投影覆盖源金属层的面积逐渐减小。如此一来，从第一级到第N级的各级晶体管堆栈的源金属层与漏金属层之间寄生电容逐渐减小；从而减小靠近射频输入端的晶体管堆栈的分压，使得整体电压分布均匀，射频开关器件总的射频击穿电压特性得到了改善。
主权项：1.一种射频开关器件，其特征在于，包括：从射频输入端到地端之间依次串联的第一级到第N级共N级晶体管堆栈，N为大于等于2的自然数；所述晶体管堆栈包括自下而上的基底、第一介质层、源漏金属层、第二介质层和调整金属层；所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的所述基底中形成有漏区和源区；所述源漏金属层包括源金属层和漏金属层，所述源金属层与所述源区对应连接，所述漏金属层与所述漏区对应连接；所述调整金属层包括第一调整金属层和第二调整金属层；在沿所述栅极结构的延伸方向上，从所述第一级到第N级的各级所述晶体管堆栈的所述第一调整金属层在各自所述漏金属层上的投影覆盖所述漏金属层的面积逐渐减小，且从所述第一级到第N级的各级所述晶体管堆栈的所述第二调整金属层在各自所述源金属层上的投影覆盖所述源金属层的面积逐渐减小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 射频开关器件及其形成方法
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