龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：朗姆研究公司
申请日：2019-03-12
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263107A
主分类号：H01L21/3065
分类号：H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/308;H01L21/768;H01L21/67
优先权：["20180316 US 62/644,095"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：提供了一种用于在蚀刻室中在图案化掩模下方蚀刻堆叠件中的特征的方法。用冷却剂温度低于‑20℃的冷却剂冷却堆叠件。使蚀刻气体流入蚀刻室。由蚀刻气体产生等离子体。相对于图案化的掩模将特征选择性地蚀刻到堆叠件中。
主权项：1.一种用于蚀刻的方法，包括：a将衬底支撑在等离子体处理系统的室中的卡盘上，所述衬底包括含硅膜，并且所述卡盘具有下电极；b将所述衬底冷却到低于-20℃的温度；c提供含卤素气体；d提供含磷气体；以及e用所述含卤素气体和所述含磷气体生成等离子体，其中所述等离子体在含硅堆叠件中蚀刻特征，并在所述特征的侧壁上沉积侧壁钝化物。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 朗姆研究公司 在电介质中的高深宽比特征的等离子体蚀刻化学过程
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号