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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种半导体结构的形成方法，可以通过以下方式提供一种半导体结构。在半导体基材上形成半导体鳍片；形成栅极介电质层和栅极电极；在栅极电极上形成硅层；在硅层上形成包含开口的介电质遮罩层；通过执行第一非等向性蚀刻工艺蚀刻开口下方的硅层的一些部位；通过执行第二非等向性蚀刻工艺蚀刻开口下方的栅极电极的一些部位；以及通过执行第三非等向性蚀刻工艺去除开口下方的半导体鳍片的一些部位和半导体基材的一些部位。第三非等向性蚀刻工艺中的非等向性蚀刻步骤包含低压蚀刻步骤，低压蚀刻步骤在5mTorr至50mTorr的总压力范围内进行。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，用于形成一半导体结构，其特征在于，包含：形成半导体鳍片于一半导体基材上方；形成一栅极介电质层于所述半导体鳍片上方；形成栅极电极于该栅极介电质层上方；形成一硅层于所述栅极电极上方；形成包含开口的一介电质遮罩层在该硅层上方；通过执行一第一非等向性蚀刻工艺蚀刻在该介电质遮罩层中的所述开口下方的该硅层的一些部位；通过执行一第二非等向性蚀刻工艺蚀刻在该介电质遮罩层中的所述开口下方的所述栅极电极的一些部位；以及通过执行一第三非等向性蚀刻工艺移除在该介电质遮罩层中的所述开口下方的该半导体基材的一些部位以及所述半导体鳍片的一些部位，该第三非等向性蚀刻工艺使用包含一溴化氢气体的一气体混和物的一电浆，且其中该第三非等向性蚀刻工艺中的非等向性蚀刻步骤包含低压蚀刻步骤，该低压蚀刻步骤在5mTorr至50mTorr的一范围的一总压力下执行。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构的形成方法
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