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申请/专利权人：现代摩比斯株式会社
摘要：一种功率半导体器件，包括：半导体层，其具有第一导电类型，并且被配置为包括从所述半导体层的上部区形成的以部分向上突出的凸起；屏蔽区，其具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，并且设置在所述凸起中，并被配置为接触所述凸起的顶面；栅极绝缘层，其设置在所述半导体层上并且被配置为覆盖所述凸起并与所述屏蔽区接触；以及栅极电极层，其设置在所述栅极绝缘层上。该功率半导体器件具有更高的击穿电压和更优异的散热特性，并且即使在高温下也可以表现出稳定的运行特性。
主权项：1.一种功率半导体器件，包括：半导体层，其具有第一导电类型，并且被配置为包括从所述半导体层的上部区形成的以部分向上突出的凸起；屏蔽区，其具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，设置在所述凸起中，并被配置为接触所述凸起的顶面；栅极绝缘层，其设置在所述半导体层上并且被配置为覆盖所述凸起并与所述屏蔽区接触；以及栅极电极层，其设置在所述栅极绝缘层上。
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