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申请/专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
摘要：本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底和多个半导体结构，多个半导体结构位于衬底上，各半导体结构包括源极结构、通道层结构、栅极结构和漏极结构，其中源极结构位于衬底上，通道层结构位于源极结构上，栅极结构位于通道层结构的侧壁上，漏极结构设置在通道层结构和栅极结构上；多个半导体结构彼此间隔排布，至少相邻两个半导体结构之间具有至少一个空隙。本发明能够增加相邻两个半导体结构之间的隔离性能，以提高半导体器件的可靠性。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；多个半导体结构，位于所述衬底上，各所述半导体结构包括：源极结构，位于所述衬底上；通道层结构，位于所述源极结构上；栅极结构，位于所述通道层结构的侧壁上；漏极结构，设置在所述通道层结构和所述栅极结构上；其中，多个所述半导体结构彼此间隔排布，至少相邻两个所述半导体结构之间具有至少一个空隙。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 半导体器件
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