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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体器件可以包括：外围电路结构；源极结构，在外围电路结构上；第一电容器电极，在外围电路结构上；电极绝缘层，至少部分地围绕第一电容器电极；栅极堆叠，在源极结构上；存储沟道结构，延伸穿过栅极堆叠；阶梯绝缘层，在栅极堆叠和电极绝缘层上；第二电容器电极，在第一电容器电极上并延伸穿过阶梯绝缘层；以及贯穿通孔，延伸穿过阶梯绝缘层和电极绝缘层。
主权项：1.一种半导体器件，包括：外围电路结构；源极结构，在所述外围电路结构上；第一电容器电极，在所述外围电路结构上；电极绝缘层，至少部分地围绕所述第一电容器电极；栅极堆叠，在所述源极结构上；存储沟道结构，延伸穿过所述栅极堆叠；阶梯绝缘层，在所述栅极堆叠和所述电极绝缘层上；第二电容器电极，在所述第一电容器电极上并且延伸穿过所述阶梯绝缘层；以及贯穿通孔，延伸穿过所述阶梯绝缘层和所述电极绝缘层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件和包括该半导体器件的电子系统
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