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申请/专利权人：友达光电股份有限公司
摘要：本发明公开一种薄膜晶体管及其制造方法，其中薄膜晶体管包括第一源极漏极、隔离结构、第二源极漏极、半导体结构、栅介电层、突起结构以及栅极。第一源极漏极位于基板之上。隔离结构位于第一源极漏极上，且具有重叠于第一源极漏极的第一通孔。第二源极漏极设置于隔离结构上。半导体结构从第二源极漏极沿着第一通孔的侧壁延伸至第一源极漏极。栅介电层位于半导体结构上。突起结构，位于第二源极漏极之上，且具有重叠于第一通孔的第二通孔。栅极位于栅介电层上，且从突起结构上方延伸进入第二通孔中以及第一通孔中。第一源极漏极、隔离结构、第二源极漏极、突起结构以及栅极在第一方向上依序堆叠。
主权项：1.一种薄膜晶体管，包括：第一源极漏极，位于基板之上；隔离结构，位于该第一源极漏极上，且具有重叠于该第一源极漏极的第一通孔；第二源极漏极，设置于该隔离结构上；半导体结构，从该第二源极漏极沿着该第一通孔的侧壁延伸至该第一源极漏极；栅介电层，位于该半导体结构上；突起结构，位于该第二源极漏极之上，且具有重叠于该第一通孔的第二通孔；以及栅极，位于该栅介电层上，且从该突起结构上方延伸进入该第二通孔中以及该第一通孔中，其中该第一源极漏极、该隔离结构、该第二源极漏极、该突起结构以及该栅极在第一方向上依序堆叠。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管及其制造方法
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