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用于制造光电器件的方法以及光电器件 

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申请/专利权人:艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司

摘要:说明一种用于制造光电器件的方法,具有步骤:‑将半导体芯片1和在所述半导体芯片1的上侧1a处的盖体2引入到模具3中,‑用模制材料4包封模具3中的半导体芯片1和盖体2,其中所述半导体芯片1的侧面1b和所述盖体2的侧面2b以及所述盖体2的背离所述半导体芯片1的顶面2a用模制材料4覆盖,‑将所述模制材料4固化或硬化成模制体40并且移除模具3,‑通过喷射工艺使模制体40减薄,其中将模制体40完全从盖体2的顶面2a移除,其中在减薄之后,所述模制体40与顶面2a齐平或突出所述顶面2a之外。

主权项:1.一种用于制造光电器件的方法,所述方法具有步骤:-将半导体芯片1和在所述半导体芯片1的上侧1a处的盖体2引入到模具3中,-用模制材料4包封模具3中的半导体芯片1和盖体2,其中所述半导体芯片1的侧面1b和所述盖体2的侧面2b以及所述盖体2的背离所述半导体芯片1的顶面2a由模制材料4覆盖,-将所述模制材料4固化或硬化成模制体40并且移除模具3,-通过喷射工艺使模制体40减薄,其中将模制体40从盖体2的顶面2a移除,其中在减薄之后,所述模制体40与盖体2的顶面2a齐平或突出所述顶面2a之外,其中所述模具3在盖体2的顶面2a处具有突出部32,其中所述模制体40在移除所述模具4之后在所述突出部32的区域中具有空腔5。

全文数据:

权利要求:

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