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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制作方法。所述制作方法中，在衬底上形成第x金属布线层并覆盖扩散阻挡层后，堆叠第一氧化层和氮化层，并在氮化层中形成介质孔后再形成第二氧化层，在刻蚀第二氧化层和氮化层的工艺中，还使介质孔区域的第一氧化层暴露后被刻蚀，氮化层可以保护所覆盖的第一氧化层，从而减小了第一氧化层被侧刻蚀的风险，限制了第一氧化层中形成的孔的宽度，扩散阻挡层暴露后被刻蚀，使得对应于介质孔形成的贯通孔的宽度被限制，在所述贯通孔内形成导电通道后，所述导电通道将相邻的金属线桥接的风险降低，由于金属线桥接而导致的器件失效风险降低，有助于提高器件良率，而且该制作方法时间成本低。
主权项：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第x金属布线层并覆盖扩散阻挡层，x为大于或等于1的整数，所述第x金属布线层包括用于连接上面金属布线层的待接触金属线；在所述扩散阻挡层上堆叠第一氧化层和氮化层，并在所述氮化层中形成至少一个介质孔，每个所述介质孔在所述第x金属布线层平面的正投影仅与相应的一所述待接触金属线有重叠；形成第二氧化层，所述第二氧化层填充所述介质孔并覆盖所述氮化层；刻蚀所述第二氧化层和所述氮化层以形成布线沟槽，同时刻蚀所述介质孔下方的所述第一氧化层和所述扩散阻挡层，对应于所述介质孔形成与所述布线沟槽连通且暴露所述待接触金属线的贯通孔，所述布线沟槽的宽度大于所述贯通孔的宽度；以及在所述贯通孔和所述布线沟槽中填充金属材料，在所述布线沟槽内形成第（x+1）金属布线层，在所述贯通孔内形成连接所述第x金属布线层和所述第（x+1）金属布线层的导电通道。
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百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 半导体器件及其制作方法
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