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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明涉及一种碳化硅晶圆的返工处理方法及半导体器件。所述碳化硅晶圆的返工处理方法包括如下步骤：提供碳化硅晶圆，所述碳化硅晶圆包括相对分布的第一表面和第二表面；键合第一基板至所述碳化硅晶圆的所述第一表面上；对所述碳化硅晶圆的所述第二表面进行返工处理；去除所述碳化硅晶圆的所述第一表面上的所述第一基板。本发明降低了在对所述碳化硅晶圆进行返工处理的过程中出现碎片的概率，实现了在薄片碳化硅晶圆上进行返工工艺，降低了碳化硅晶圆的报废率，改善半导体器件的制造良率和提高半导体器件的产率。
主权项：1.一种碳化硅晶圆的返工处理方法，其特征在于，包括如下步骤：提供碳化硅晶圆，所述碳化硅晶圆包括相对分布的第一表面和第二表面；键合第一基板至所述碳化硅晶圆的所述第一表面上；对所述碳化硅晶圆的所述第二表面进行返工处理；去除所述碳化硅晶圆的所述第一表面上的所述第一基板。
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