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申请/专利权人：联合微电子中心有限责任公司
摘要：一种半导体器件及其设计版图、形成方法，所述设计版图包括：形成版图，包含一个或多个局部场氧隔离LOCOS区域，所述LOCOS区域内包含有源区图形和伪有源区图形；刻蚀版图，包含第一刻蚀图形和第二刻蚀图形；其中，每个第一刻蚀图形均位于所述有源区图形内，每个第二刻蚀图形均位于所述伪有源区图形内。在LOCOS形成工艺，采用上述设计版图，有助于更加精准地控制刻蚀后的垫氧化层的剩余厚度。
主权项：1.一种设计版图，其特征在于，包括：形成版图，包含一个或多个局部场氧隔离LOCOS区域，所述LOCOS区域内包含有源区图形和伪有源区图形；刻蚀版图，包含第一刻蚀图形和第二刻蚀图形；其中，每个第一刻蚀图形均位于所述有源区图形内，每个第二刻蚀图形均位于所述伪有源区图形内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联合微电子中心有限责任公司 半导体器件及其设计版图、形成方法
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