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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

摘要：本发明公开了一种高压LED芯片及其制备方法，涉及发光二极管技术领域。制备方法包括：提供外延片；形成刻蚀至第一半导体层的第一孔洞、过道刻蚀槽和桥接刻蚀槽；形成光刻胶层；曝光形成第一非曝光区、过道曝光区、桥接曝光区、第二非曝光区和欠曝光区；显影去除过道曝光区、桥接曝光区的光刻胶层以及欠曝光区预设量的光刻胶层；将剩余的光刻胶层烘烤固化；刻蚀去除过道刻蚀槽内、桥接刻蚀槽内的剩余的第一半导体层，暴露衬底；并去除欠曝光区内预设厚度的外延层，在欠曝光区内形成倾斜角度≤45°的斜坡；去除剩余的光刻胶层；形成第一电极、第二电极和桥接电极。实施本发明，可简化制备工艺，降低成本。

主权项：1.一种高压LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供外延片；所述外延片包括衬底和外延层，所述外延层包括依次层叠于所述衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；S2、在所述外延片上形成刻蚀至第一半导体层的第一孔洞、过道刻蚀槽和桥接刻蚀槽；所述过道刻蚀槽的宽度小于所述桥接刻蚀槽的宽度；过道刻蚀槽和桥接刻蚀槽将外延片划分为至少两个多个发光单元；S3、在步骤S2得到的外延片上形成光刻胶层；S4、采用光罩板将所述光刻胶层曝光，形成第一非曝光区、过道曝光区、桥接曝光区、第二非曝光区和欠曝光区；其中，所述过道曝光区形成于所述过道刻蚀槽的上方，所述桥接曝光区形成于所述桥接刻蚀槽的上方，所述非曝光区和第二欠曝光区间隔分布于所述桥接曝光区的两侧，多个所述欠曝光区的曝光深度由靠近所述桥接曝光区至远离所述桥接曝光区呈递减变化；S5、显影去除所述过道曝光区、桥接曝光区的光刻胶层以及所述欠曝光区预设量的光刻胶层；S6、将剩余的光刻胶层烘烤固化；S7、刻蚀步骤S6得到的外延片，以去除所述过道刻蚀槽内、桥接刻蚀槽内的剩余的第一半导体层，暴露所述衬底；并去除欠曝光区内预设厚度的外延层，在所述欠曝光区内形成倾斜角度≤45°的斜坡；S8、去除剩余的光刻胶层；S9、在步骤S8得到的外延片上形成第一电极、第二电极和桥接电极，得到高压LED芯片成品；其中，所述第一电极通过所述第一孔洞与所述第一半导体层连接，所述第二电极与所述第二半导体层连接。

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