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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，至少包括衬底及依次层叠在衬底上的N型半导体层、有源发光层、P型半导体层，P型半导体层上层叠有电流扩展层，P型半导体层与电流扩展层之间设有P型电极，N型半导体层设有N型半导体导电台阶，N型半导体导电台阶上设有N型电极；P型电极包括沿芯片生长方向依次层叠的反射层、保护层、导电层、过刻蚀层、欧姆接触层，反射层为Al层，保护层为Ni层与Pt层或Ti层与Pt层周期性层叠的结构，导电层为Au层或者Cu层，过刻蚀层为Ni层、Ti层、Pt层中任意一种，欧姆接触层为Cr层或Ni层。本发明能够有效提高LED芯片的发光亮度，降低其工作电压。
主权项：1.一种倒装发光二极管芯片，至少包括衬底及依次层叠在所述衬底上的N型半导体层、有源发光层、P型半导体层，其特征在于，所述P型半导体层上层叠有电流扩展层，所述P型半导体层与所述电流扩展层之间设有P型电极，所述N型半导体层上设有N型半导体导电台阶，所述N型半导体导电台阶上设有N型电极；所述P型电极包括沿芯片生长方向依次层叠的反射层、保护层、导电层、过刻蚀层、欧姆接触层，其中，所述反射层为Al层，所述保护层为Ni层与Pt层或Ti层与Pt层周期性层叠的结构，所述导电层为Au层或者Cu层，所述过刻蚀层为Ni层、Ti层、Pt层中任意一种，所述欧姆接触层为Cr层或Ni层；所述反射层的厚度介于1000Å-3000Å，所述保护层的Ni层与Pt层或Ti层与Pt层的厚度均介于400Å-4000Å，所述导电层的厚度介于5000Å-50000Å，所述过刻蚀层的厚度介于500Å-3000Å，所述欧姆接触层的厚度介于20Å-200Å；所述电流扩展层边缘距离所述P型半导体层边缘的距离在3μm-10μm之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种倒装发光二极管芯片及其制备方法
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