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申请/专利权人:英诺赛科(珠海)科技有限公司
摘要:本实用新型涉及半导体加工技术领域,公开一种晶圆清洗装置。所述晶圆清洗装置包括酸洗腔室、水洗腔室、酸洗机构、水洗机构和转移机构,酸洗腔室和水洗腔室间隔设置;酸洗机构设置于酸洗腔室中,酸洗机构包括第一承载组件和酸液喷洒组件,第一承载组件用于承载待清洗晶圆,酸液喷洒组件被配置为向第一承载组件上承载的待清洗晶圆的表面喷洒清洗液;水洗机构设置于水洗腔室中,水洗机构包括第二承载组件和水喷洒组件,第二承载组件用于承载待清洗晶圆,水喷洒组件被配置为向第二承载组件上承载的待清洗晶圆的表面喷水;转移机构被配置为在酸洗腔室和水洗腔室中转移待清洗晶圆。所述晶圆清洗装置可以避免晶圆水洗时被酸液影响,且能提高产线效率。
主权项:1.一种晶圆清洗装置,其特征在于,包括:酸洗腔室1和水洗腔室2,间隔设置;酸洗机构3,设置于所述酸洗腔室1中,所述酸洗机构3包括第一承载组件31和酸液喷洒组件32,所述第一承载组件31用于承载待清洗晶圆,所述酸液喷洒组件32被配置为向所述第一承载组件31上承载的待清洗晶圆的表面喷洒清洗液;水洗机构4,设置于所述水洗腔室2中,所述水洗机构4包括第二承载组件41和水喷洒组件42,所述第二承载组件41用于承载待清洗晶圆,所述水喷洒组件42被配置为向所述第二承载组件41上承载的待清洗晶圆的表面喷水;转移机构5,被配置为在所述酸洗腔室1和所述水洗腔室2中转移待清洗晶圆。
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