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五金工具产品及配附件制造技术
  • 本发明涉及一种基于硫系相变F‑P谐振腔的空间光场相位调制器件及方法。相位调制器件由下至上依次包括:介质衬底、反射层、介质共振波长调整层、硫系相变有源层、分布式布拉格反射器。由于硫系相变材料在相变过程中的折射率对比度较大,可以用介质共振波长调...
  • 本发明公开了一种沉积高纯石英环的装置及方法,包括沉积反应炉、燃烧器、支撑芯杆、支撑件和沉积基底;沉积反应炉内设置反应腔,沉积反应炉顶部设置开口,燃烧器固定安装在沉积反应炉的顶部;所述支撑芯杆下部设置于反应腔内,上部由沉积反应炉顶部的开口伸出...
  • 本发明公开了一种钢铁表面耐磨绝缘复合涂层及其制备方法,涉及金属材料表面处理技术领域,该耐磨绝缘复合涂层包括石墨烯‑纳米TiN内层和纳米Al2O3外层,石墨烯‑纳米TiN内层的厚度为0.01‑100...
  • 本实用新型公开了一种镀锌钢丝锌层厚度控制装置,涉及锌层厚度控制技术领域。包括钢丝镀锌机构,所述钢丝镀锌机构包括底板,所述底板顶部的一侧固定连接有左侧底座,所述左侧底座的一侧安装有操控面板,所述操控面板顶部的一侧固定安装有钢丝移调组件,所述钢...
  • 本发明涉及一种装饰基底(1)的方法,其包括相继的下列步骤:提供基底(1);在基底(1)的表面上沉积牺牲材料层(2);将牺牲材料层(2)结构化以在这种牺牲材料层(2)中创建许多空洞(4)以形成装饰或技术图案(12);除了在提供图案(12)的位...
  • 本发明所采用的热浸镀钢板在热浸镀层的图案部和非图案部中,对于相对于钢板表面的法线方向入射角度在0°以上且低于90°的范围的入射光,朝法线方向的图案部及非图案部的反射光之间的关系满足式(1)、(2)。|IPH‑I
  • 本发明涉及真空镀膜技术领域,尤其是指一种伞具取放模组及设有该伞具取放模组的上下料机构,该伞具取放模组包括支撑件、旋转件、旋转驱动模组、第一拾取组件以及第二拾取组件,旋转件转动设置于支撑件,旋转驱动模组用于驱动旋转件转动,第一拾取组件与第二拾...
  • 本发明公开了一种基材表面曲线折叠型可拉伸金属网栅的制备方法,包括如下步骤:S1,将金属板裁切至所需尺寸,通过激光雕刻机进行雕刻,在内部雕刻网线镂空的曲线平行阵列,形成掩膜板;S2,将雕刻好镂空网线的掩膜板四周加装边框,并进行拉伸绷直固定;S...
  • 本发明公开了一种高熵合金渗氢膜及其制备方法和应用,高熵合金渗氢膜包括高熵合金层和表面Pd层,所述高熵合金层的化学通式为Nb100‑(a+b+c+d)HfaCobMo...
  • 一种耐热冲击氧化铝涂层的制备方法,包括以下步骤:将经过气体离子源轰击清洗后的无氧铜基体送入第一镀膜工艺腔室内,采用双靶材通过脉冲直流磁控溅射方式进行同步溅射,以在无氧铜基体表面形成从纯镍层过渡到纯铬层的镍、铬复合梯度过渡层;将表面沉积镍、铬...
  • 本发明涉及日盲紫外探测器材料技术领域,具体公开了一种金刚石/氧化镓异质结及在日盲紫外探测器上的应用,所述金刚石/氧化镓异质结包括单晶金刚石层以及位于单晶金刚石层上的Zr掺杂ε‑Ga2O3层;单晶金...
  • 本发明涉及一种用于加工金属工件的方法。该方法具有以下已知步骤:借助喷涂装置(10)将粉末状的辅助物质(2)喷涂到工件(20)上,其中,辅助物质在从喷涂装置离开时在其撞击工件的表面之前至少部分地熔化。为了能够方便且易于去除地将抗氧化皮的涂层施...
  • 本发明涉及一种激光复合等离子电火花合金化方法,石墨作阳极,钢部件作阴极;包括下列步骤:步骤一,通过等离子电火花合金化对钢部件进行渗碳;步骤二,等离子电火花合金化之后进行表面激光处理;步骤三,通过等离子电火花合金化进行渗碳时,直接在电极后面聚...
  • 本发明涉及一种材料,该材料包括在一个面上涂覆有薄层堆叠体的透明基材,该薄层堆叠体从所述面依次包括四个银基金属功能层和五个介电涂层的交替,所述材料的特征在于:‑第一功能层Ag1的物理厚度Ea1小于第二功能层Ag2的物理厚度Ea2,其中0.60...
  • 本发明公开了一种降低铜带表面摩擦系数的热浸镀锡铜板带及其制造方法,涉及铜板带热浸镀锡领域,旨在解决现有技术中无法使产品同时兼备高硬度和良好的可焊性、耐腐蚀性的问题,采用的技术方案是,先在铜板带的表面热浸镀一层纯锡层,在冷却至室温后,退火、保...
  • 一种氧化钇皮膜,其皮膜的维氏硬度为900HV以上,氧化钇晶体的(222)面的基于X射线衍射的半值宽度为0.7°以上,在氧化钇的晶体结构中,(222)面优先取向,X射线衍射中的(222)面的衍射强度为其他晶面的2倍以上,能够形成于要求耐腐蚀性...
  • 本申请提供一种反应腔预处理方法及半导体设备,涉及半导体技术领域,解决了相关技术中晶圆刻蚀过程中硅槽深度不均匀的问题,本方案通过对反应腔的预处理,提升介电窗温度的同时还可以清洁反应腔,使得反应腔的介电窗温度达到目标温度,从而为晶圆上的硅刻蚀提...
  • 本发明属于化学气相沉积技术领域,公开了一种CVD沉积装置,包括加速管道,加速管道包括绝缘管体和电源,绝缘管体的进口端与进气管道的出口端相连接,绝缘管体的进口端设置有金属阴极,反应物通过金属阴极进入绝缘管体内,金属阴极向绝缘管体的出口端的方向...
  • 本申请涉及镀膜设备技术领域,特别涉及一种走线结构、顶升装置及镀膜设备。包括密封连接于真空腔体的连接法兰、若干个装嵌于所述连接法兰上的连接母头,所述连接母头位于所述真空腔体内一端连接有第一公头,所述连接母头位于所述真空腔体以外一端连接有第二公...
  • 本发明属于前驱体源源瓶技术领域,涉及一种用于ALD设备的固态源瓶,包括:存储瓶体,用于存储固态源粉末;加热组件,用于加热所述存储瓶体内的固态源粉末使其升华得到气态源粉末;所述加热组件设置于所述存储瓶体上;进料组件,用于向所述存储瓶体内输送固...
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