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申请/专利权人：鑫天虹(厦门)科技有限公司
摘要：本发明为一种基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法，主要提供至少一半导体装置，其中半导体装置包括一基板及至少一半导体磊晶结构的层迭。以一雷射照射半导体装置的一边缘区域，并分离位于边缘区域的基板与半导体磊晶结构。通过一压合装置压迫半导体装置的边缘区域，而后以雷射照射半导体装置的一内部区域，并分离位于内部区域的基板与半导体磊晶结构，其中分离内部区域的基板及半导体磊晶结构时所产生的气体会由边缘区域排出，以防止在分离过程中对半导体磊晶结构造成损伤。
主权项：1.一种基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法，其特征在于，包括：提供至少一半导体装置，其中该半导体装置包括一基板及至少一半导体磊晶结构，该半导体磊晶结构连接该基板；以一雷射照射该半导体装置的一边缘区域，其中该雷射投射在靠近该基板的该半导体磊晶结构上，并分离位于该边缘区域的该基板与该半导体磊晶结构；通过一压合装置压迫该半导体装置的该边缘区域；及以该雷射照射该半导体装置的一内部区域，该雷射投射在靠近该基板的该半导体磊晶结构上，并分离位于该内部区域的该基板与该半导体磊晶结构，其中该边缘区域位于该内部区域的周围。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 鑫天虹(厦门)科技有限公司 基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法
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