申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2024-02-18

公开（公告）日：2024-05-28

公开（公告）号：CN118098957A

主分类号：H01L21/331

分类号：H01L21/331;H01L29/165

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开

摘要：本发明提供一种HBT器件的制造方法，提供衬底，衬底作为集电极，衬底上形成有STI以定义出有源区，在衬底上依次形成第一至四电介质层；在第二至四电介质层上形成位于有源区上方的沟槽；在沟槽、第四电介质层上形成第五电介质层，刻蚀第五电介质层使其保留在沟槽的侧壁；去除沟槽下方部分的第一电介质层，使得沟槽形成为倒T形的结构，之后利用外延工艺在沟槽底部形成外延层，使得外延层自下而上生长，外延层作为基区；形成覆盖沟槽的第一多晶硅层，之后在第一多晶硅层上形成光刻胶层。本发明利用牺牲氮化硅层自对准SLSA工艺，一方面大大降低了SiGe外延工艺的难度，另一方面可有效降低外基区的连接电阻，从而达到进一步提升器件性能的目的。

主权项：1.一种HBT器件的制造方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底作为集电极，所述衬底上形成有STI以定义出有源区，在所述衬底上依次形成第一至四电介质层；步骤二、在所述第二至四电介质层上形成位于所述有源区上方的沟槽；步骤三、在所述沟槽、所述第四电介质层上形成第五电介质层，刻蚀所述第五电介质层使其保留在所述沟槽的侧壁；步骤四、去除所述沟槽下方部分的所述第一电介质层，使得所述沟槽形成为倒T形的结构，之后利用外延工艺在所述沟槽底部形成外延层，使得所述外延层自下而上生长，所述外延层作为基区；步骤五、形成覆盖所述沟槽的第一多晶硅层，之后在所述第一多晶硅层上形成光刻胶层，光刻打开所述光刻胶层使得其下方的部分所述第一多晶硅层裸露，之后刻蚀裸露的所述第一多晶硅层及其下方的叠层至所述第二电介质层上，形成叠层结构，所述第一多晶硅层作为发射极，之后去除所述光刻胶层；步骤六、在所述第二电介质层和所述叠层结构上形成第六电介质层，之后利用光刻、刻蚀去除所述第二电介质层上，且距所述叠层结构目标距离之外的所述第六电介质层；步骤七、去除所述第二电介质层，在所述第六电介质层和所述STI、所述外延层之间形成有间隙，之后形成填充所述间隙的第二多晶硅层，所述第二多晶硅层作为外基区导电层；步骤八、刻蚀所述第一、六电介质层，使得所述第一、二多晶硅层裸露，所述第一电介质层去除，从而形成HBT器件结构。

全文数据：

权利要求：

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