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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2024-02-29
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN118102726A
主分类号：H10B43/30
分类号：H10B43/30;H10B43/20
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本申请提供一种嵌入式3DSONOS存储器及其制造方法，该存储器的结构由一个横向的存储管和一个纵向的选择管组成，相邻两个选择管共用一个源端，并且源端与选择管通过第三多晶硅层和第二多晶硅层共接在一起。本申请的有益效果：1存储区与逻辑区多晶硅栅极和栅氧化层分别独立生长刻蚀，便于不同厚度栅极的调控；2存储区光罩版定义相邻两个存储管和选择管源端的总宽度，单个存储管的栅长由自对准刻蚀定义，利于器件尺寸缩小；3存储区选择管栅长在纵向上由刻蚀深度决定，利于缩减水平方向尺寸；4选择管栅极由第三多晶硅层和第二多晶硅层相连组成，将相邻两个选择管和其中间的源端连在一起，减少接触孔数量，利于尺寸缩小。
主权项：1.一种嵌入式3DSONOS存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一，提供一衬底，在所述衬底中形成有源区；步骤二，存储区阱注入和逻辑区阱注入后，在所述衬底上形成ONO电荷存储层；步骤三，在所述衬底上依次形成第一多晶硅层和硬掩模层；步骤四，刻蚀位于所述存储区的硬掩模层后，在所述衬底上形成第一氧化层；步骤五，自对准刻蚀所述第一氧化层，以形成存储管顶部氧化层；步骤六，自对准刻蚀所述第一多晶硅层；步骤七，在所述衬底上形成第二氧化层；步骤八，自对准刻蚀所述第二氧化层、所述ONO电荷存储层和所述衬底，以形成存储区隔离氧化层和选择管栅极区沟槽；步骤九，选择管栅氧化层生长后，在所述衬底上形成第二多晶硅层；步骤十，自对准刻蚀所述第二多晶硅层后，选择管源端注入；步骤十一，刻蚀所述选择管栅氧化层后，在所述衬底上生长并研磨第三多晶硅层，以形成选择管栅极；步骤十二，去除位于所述逻辑区的硬掩模层、第一多晶硅层和ONO电荷存储层；步骤十三，在所述衬底上依次形成第三氧化层和第四多晶硅层；步骤十四，去除位于所述存储区的第四多晶硅层和第三氧化层，以形成逻辑区栅极结构；步骤十五，去除位于所述存储区的硬掩模层后，刻蚀所述第一多晶硅层，以形成存储管栅极；步骤十六，形成侧墙后，实施源漏注入。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 嵌入式3D SONOS存储器及其制造方法
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