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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2024-02-28
公开（公告）日：2024-05-24
公开（公告）号：CN118073193A
主分类号：H01L21/311
分类号：H01L21/311;H01L29/423;H10B43/35
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.11#实质审查的生效;2024.05.24#公开
摘要：本发明提供一种改善嵌入式SONOS闪存选择管漏电的方法，提供衬底，在衬底上形成有浅沟槽隔离以定义出选择管、存储管的有源区；在有源区上形成选择管、存储管的掺杂阱；在选择管、存储管的有源区上形成第一目标厚度的栅氧化层；利用光刻、刻蚀减薄选择管上的栅氧化层至第二目标厚度，之后在选择管、存储管的栅氧化层上形成ONO层结构，之后在ONO层结构上形成选择管、存储管的栅极结构，使得选择管的漏电流不高于目标值。本发明通过减薄选择管栅中氧化层的厚度，进而降低了等效氧化层厚度，提高了选择管栅极的控制能力，能够改善选择管漏电。
主权项：1.一种改善嵌入式SONOS闪存选择管漏电的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成有浅沟槽隔离以定义出选择管、存储管的有源区；步骤二、在所述有源区上形成所述选择管、所述存储管的掺杂阱；步骤三、在所述所述选择管、所述存储管的有源区上形成第一目标厚度的栅氧化层；步骤四、利用光刻、刻蚀减薄所述选择管上的所述栅氧化层至第二目标厚度，之后在所述所述选择管、所述存储管的所述栅氧化层上形成ONO层结构，之后在ONO层结构上形成所述选择管、所述存储管的栅极结构，使得所述选择管的漏电流不高于目标值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 改善嵌入式SONOS闪存选择管漏电的方法
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